SRAM芯片测试

完成SRAM芯片的测试,需要设计测试电路板。测试电路板主要提供测试接口和电源。芯片的控制信号和数据信号由红色飓风II-Xilinx FPGA 开发板提供,使用ISE13.2 软件建立测试工程,编写Verilog 测试程序(主要包括按照时序提供分频后的测试时钟、数据信号和控制信号),通过JTAG 下载到FPGA 的PROM 中,重新上电进行测试,通过RIGOL DS1102CA 双通道示波器捕捉信号。
 
将示波器的通道1连接到写使能信号,通道2连接到数据端D7。如图1 所示,上方的波形为通道1接收的数据,下而的波形为通道2接收的数据。设计输入向量测试,当地址为OOO时,将片选端CS置为低电平,图1 中,A区WT=*0”,RD=“1“,RD= “0”,读出写入数据 为“0”; B区WT=“1”,数据为“0”; C 区WT=“0”,RD=“1”,写入数据为“1”D 区WT-“1”,RD-“1”,为了更好地观察读出“1”时端口的电平变化,该段不进行读写,在输出端口上加弱的低电平信号; E区WT=“1”,RD=“0”,读出数据为“1”,可明显地看到读出数据“1”的过程。从图中可以看到数据“0”和“1”被成功地写入和读出。

 
为验证实际的芯片是否可以达到设计指标,参考仿真方法,输入测试向量,以D7为例,写入10100011后读出SRAM 中的数据,波形如图2 所示。遍历OOO到111所有地址,写入并读出数据,验证每个数据端是否能够正常工作,结果显示每个数据端口功能正确。

 

存取时间也是SRAM的一个重要参数,它可以表示存储器的工作速度。测量得到,存取时间=299.4ns-293.2测量存取时间时,不同的数据端口会有ns=6.2ns。较小差别,这与实际芯片制造和不可避免的测量误差均有关。
 
测试可知:当电源电压为3.3MHZ。工作时,测得电作正常,工作频率可达20源上的最大电流约为1.8545由此可得功耗丝mA,为6.11985mW。